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            IR 推出第八代 1200V IGBT 技術平臺提供適合工業應用的基準效率和耐用性

            2013/3/29 |  6490次閱讀 |  來源:http://www.irf.com.cn/irfsite/news/2012/352.asp  關鍵詞:


            IR 推出第八代 1200V IGBT 技術平臺
            提供適合工業應用的基準效率和耐用性


             
            2012年11月16日
             
            全球功率半導體和管理方案領導廠商 &ndash 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT 技術平臺采用 IR 的新一代溝道柵極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越性能。

            全新的 Gen8 設計可讓高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:&ldquo通過開發全新基準技術及頂尖的 IGBT 硅平臺,彰顯出 IR 在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分之百變頻,以期更有效地使用電能及綠化環境。&rdquo

            新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能,有助于把 dv/dt 降到最低,從而減少電磁干擾、抑制過壓,從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數分布較窄,在高電流功率模塊內并聯起多個 IGBT 之時,可提供出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱電阻和達到 175°C 的最高結溫。

            潘大偉補充道:&ldquo IR 的 Gen8 IGBT 平臺旨在為工業應用提供卓越技術。該 IGBT 平臺憑借高性能 Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能,使工業市場中的艱巨難題迎刃而解。&rdquo

            欲了解更多信息,請瀏覽 IR 網站 www.irf.com。

            產品規格
            IR 器件編號 VCES IC (NOM) VCE(ON) (典型) 封裝
            IRG8CH15K10F 1200V 10A 1.7 膜上裸片
            IRG8CH20K10F 15A
            IRG8CH29K10F 25A
            IRG8CH38K10F 35A
            IRG8CH42K10F 40A
            IRG8CH50K10F 50A
            IRG8CH76K10F 75A
            IRG8CH97K10F 100A
            IRG8CH137K10F 150A
            IRG8CH182K10F 200A

            產品供應
            IR Gen8 1200V IGBT 平臺的樣本已開始提供給各大原始設備制造商 (OEM) 及原始設計制造商 (ODM) 合作伙伴。

            商標
            IR® 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。

            IR 簡介
            國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。

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